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我国光刻机技术加速发展 有望弯道超车

来源:发布猫 发布时间:2018-12-05 17:29:57


  国内超分辨率光刻机使用称为表面等离子体光刻的工艺,其使用沿金属表面传播的波,可以粗略地理解入射光子照射在金属表面上。由于金属表面上的光子和自由电子相互作用,金属表面上的自由电子将被入射光子激发。这种振荡波将被称为表面等离子体波。距离材料表面的距离的增加迅速衰减。普通人理解,金属表面上的轻微撞击将具有类似于落在地面上的球体的回弹反应。国内光刻的原理是将这种回弹衰减波用于光刻。原则上,这不受传统衍射极限的限制。


  光电子研究所的高分辨率,大面积技术路线仅使用数万个汞灯用于365nm DUV紫外光刻,这意味着整机成本在数百万-1000万元之间,成本不会太高,性能介于DUV和EUV之间。这种好处对需求量大的半导体芯片制造业具有重要意义。中国科学院光电技术研究所承担的“国家重大科研设备开发项目”“超分辨率设备开发”未遵循当前主流光刻技术(如ASML光刻机),但采用了新的光刻技术。原则,虽然在这个阶段,该技术不能应用于我们关心的高端芯片制造业,但在这一原则下,它为中国赶上国际领先的光刻技术提供了很大的可能性,称之为光刻之路。加速曲线超车并不夸张。

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  双向研究光刻技术,以帮助国内光刻技术的发展


  对于许多人来说,最近对光刻机的印象应该是,2018年4月,中国从荷兰订购了世界上最先进的一套极紫外光刻(EUV)设备,这是目前最昂贵和最先进的芯片生产。该工具的单价为1.2亿美元,已交付给中国公司。在轰动一时,很多人认为“中国核心”发展中最大的技术难题已经解决了多年。事实上,这主要是因为我们已经开始在上个世纪开发光刻技术。虽然技术和顶尖技术总是不同,但差距并不大。此外,电子技术产品的发展速度快,技术壁垒阻碍国内光刻技术的发展远不到几十年,因此销售禁令不会随着时间的推移而破裂。


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